1n5059 ... 1N5062 1n5059 ... 1N5062 silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2005-09-20 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 2 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 200...800 v plastic case kunststoffgeh?use do-15 do-204ac weight approx. gewicht ca. 0.4 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] 1n5059 200 200 1n5060 400 400 1n5061 600 600 1N5062 800 800 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 2 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 10 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 50/55 a rating for fusing, t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 12.5 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.05 0.8 ? 0.05 3 6 2 . 5 0 . 5 6 . 3 0 . 1
1n5059 ... 1N5062 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 2 a v f < 1.1 v leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 5 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) resithermalstance junction to terminal w?rmewiderstand sperrschicht ? anschluss r tht < 15 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current versus ambient temperature zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 50a-(2a-1.1v) peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 1 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3
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